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NTGS3447P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
5
4
3
V DS
QT
V GS
12
10
8
6
20
10
V GS = 0 V
2
Q GS
Q GD
4
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
1
V DS = -6.0 V
I D = -4.7 A
T J = 25 ° C
2
0
0
1.0
0
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate-to-Source and
Drain-to-Source Voltage vs. Total Charge
I D = -250 m A
60
50
40
30
20
10
0
-V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Diode Forward Voltage vs. Current
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 9. Threshold Voltage
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
100
10
1
V GS = 8.0 V
SINGLE PULSE
100 m s
1 ms
10 ms
0.1 T C = 25 ° C
RDS(on) LIMIT
Thermal Limit
dc
0.01
Package Limit
0.1 1 10
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
100
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